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產品概述
射頻功率晶體管封殼
可全面實現國產化替代
封殼通常采用可伐金屬環框高溫釬焊陶瓷射頻饋通組件、金屬散熱底板結構。 本類封裝外殼產品外形結構、尺寸以及射頻饋通管腳數可定制。 配套蓋板采用臺階蓋結構，滿足平行縫焊工藝。 圖示樣品采用2pin射頻功率晶體管標準封裝結構，封口面尺寸為16㎜X16㎜，可同位替代進口功率管封殼。
RF傳輸端口電壓駐波比示例
封殼射頻饋通采用
HTCC陶瓷
工藝，能滿足
C波段
要求，最高可滿足
X波段
指標。
封殼散熱底板采用CPC、CMC、鎢銅、鉬銅等高散熱材料，熱導率最高
260W/m.K
。若采用Cu-Dia材料，其熱導率可達
580W/m.K
。
封殼鍍層、平面度等參數可根據用戶實際微組裝工藝特點進行定制化調整，能夠滿足
自動化微組裝
工藝要求。
設計圖紙
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